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[主观题]

纳米压印技术的加工分辨力只与模版图案的尺寸有关,而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。()

此题为判断题(对,错)。

提问人:网友文旻昊 发布时间:2022-01-07
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第1题
关于光刻和压印两种图形复制技术下列哪种说法正确:

A.两者都可用于制备纳米图形

B.纳米压印技术对操作环境的要求更高

C.纳米压印技术可以在圆柱形衬底上制备图形

D.纳米光刻版材料的选择性更广

E.纳米光刻工艺成本更低

F.有些纳米压印法可采用柔性材料来制备模板

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第2题
纳米压印技术(NIL)是利用带有纳米图案的模板又称(),在()上压印。
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第3题
光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种?()

A.接触式光刻

B.接近式光刻

C.压印式光刻

D.投影式光刻

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第4题
光刻技术中最常用的曝光方式有()。

A.接触式曝光

B.接近式曝光

C.投影式曝光

D.压印式曝光

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第5题
下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的?()

A.是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术

B.电子束曝光的曝光效率比较高

C.电子束曝光的精度可以达到纳米量级,可以制作纳米结构器件

D.电子束光刻可用于集成光学器件,如光栅,光子晶体等

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第6题
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()A.电子束曝光技术B.离子束曝光技术C.X射线曝光

光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()

A.电子束曝光技术

B.离子束曝光技术

C.X射线曝光技术

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第7题
下列有关曝光的描述正确的是:

A.确定图案的精确形状和尺寸;

B.步进曝光机一次就可以完成曝光;

C.使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影;

D.需要进行准确对版后再曝光,才能保证各次光刻的套准精度。

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第8题
光刻工艺所需要的三要素为:

A.光刻胶、掩模版和光刻机

B.光源、光刻胶和曝光时间

C.光刻胶、掩模版和光刻焦深

D.光源、掩模版和超净间

E.光源、光刻胶和掩模版

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第9题
光刻加工的主要过程有涂胶、曝光、显影与烘片、刻蚀、剥膜。()

光刻加工的主要过程有涂胶、曝光、显影与烘片、刻蚀、剥膜。()

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第10题
光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?
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