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[主观题]

关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是(50)。A.CE端为低电平B.R/W'端为高电平C.地址出现在addres

关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是(50)。

A.CE端为低电平

B.R/W'端为高电平

C.地址出现在address线上

D.数据出现在data线上

提问人:网友chenymxn 发布时间:2022-01-06
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第1题
下列关于SRAM工作原理的描述中 ,错误的是( )(单选)

A、6管SRAM中保存“1"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

B、6管SRAM中保存“0"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

C、对任何一个SRAM存储单元的读写,一定需要通过对应的行选通和列选通信号使与该存储单元对应的4个门控管都处于选通状态

D、现有一个1KB的SRAM存储器,若只使用其低端地址的前16个单元,则只要使用该存储器的前4位地址线,其余地址线可以不做任何端接处理

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第2题
下列对FPGA结构与工作原理的描述错误的是:

A、基于SRAM的FPGA器件,在每次掉电后会丢失里面已经下载的设计;

B、在Intel的器件中,CYCLONE IV系列属FPGA结构;

C、FPGA是基于查找表结构的可编程逻辑器件;

D、FPGA全称为复杂可编程逻辑门器件。

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第3题
以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()

A. SRAM比DRAM慢

B. SRAM比DRAM耗电多

C. DRAM存储密度比SRAM高得多

D. DRM需要周期性刷新

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第4题
关于微机系统中存储器的类型,下面叙述不正确的是

A、SRAM主要用作高速缓存(Cache)。

B、DRAM主要用作内存。

C、ROM一般用于保存无需修改的程序或数据,如主板上的BOIS。

D、硬盘一般用作微机系统的主存。

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第5题
关于静态存储器SRAM描述不正确的是___________。

A、SRAM存储器需要刷新操作。

B、SRAM的一个存储单元是由六个晶体管构成。

C、与动态存储器相比,静态存储器的成本较高。

D、静态存储器的速度要比动态存储器速度快。

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第6题
下列外部存储设备中,没有缓存的是()

A. 硬盘

B. CD-ROM

C. DVD-ROM

D. 软驱

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第7题
下列属于导致DRAM 比SRAM慢的原因是( )(多选)

A、DRAM需要刷新操作

B、DRAM 读写过程中其地址分行、列分时传送

C、读操作前先要进行预充操作

D、DRAM的容量比SRAM容量大

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第8题
FPGA的编程工艺是SRAM
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第9题
A.56

B.64

C.128

D.256

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第10题
在实时系统中,响应时间是衡量系统性能的最重要因素。任务调度的目的是缩短系统平均响应时间,提高系统资源利用率。以下关于嵌入式系统实时调度技术说法错误的是(28)。

A.抢占式调度具有实时性好,调度算法较简单,可保证高优先级任务的时间约束,上下文切换少等优点

B.非抢占式调度是指不允许任务在执行期间被中断,任务一旦占用嵌入式微处理器就必须执行完毕或自愿放弃

C.静态表驱动策略是一种离线调度策略,运行时刻表一旦生成后就不再发生变化

D.在任务运行过程中,采用静态优先级调度的任务优先级不会发生变化

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