化合物半导体材料的哪些特性，使之适合于做半导体探测器？

A.适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体

B.生长易于控制，可以生长纯度很高的材料

C.可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡

D.外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产

E.非常适合于生长各种异质结构材料

A.非常适合于生长各种异质结构材料

B.外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产

C.可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡

D.生长易于控制，可以生长纯度很高的材料

E.适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体

A.异质结可以充分利用太阳光

B.成本低

C.一些半导体材料存在结构自补偿，使成结困难，需要采用异质结构

D.采用异质结构来降低表面复合速率

A.光电阴极的材料多用低溢出功的碱金属为主的半导体化合物。

B.光电倍增管的阳极输出电流与入射于光电阴极的光通量之间的函数关系，称为倍增管的光电特性。

C.光电阴极和阳极一样，都能产生光电效应

D.光电阴极和光电倍增极一样，受到光照后能产生光电子

A.光伏效应

B.热敏性

C.光敏性

D.掺杂性

A.本征半导体呈电中性,杂质半导体呈电性

B.本征半导体和杂质半导体均呈电中性

C.硅材料的温度特性比锗材料好,因为其禁带宽度较大

D.锗材料的温度特性比硅材料好,因为其禁带宽度较小

A.材料廉价且资源丰富

B.直接带隙P型半导体

C.带隙可调控

D.理论转换效率高

A.太阳能电池利用光的量子特性，使硅材料中的电子发生能级跃迁，产生电位差

B.太阳能电池利用光照使硅材料发生化学反应，产生电荷的移动和电位差

C.太阳能电池利用光照使硅材料燃烧发电

D.太阳光照射到硅材料上，会产生激光