题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以下哪些属于铜锌锡硫薄膜材料的特性。（）

A.材料廉价且资源丰富

B.直接带隙P型半导体

C.带隙可调控

D.理论转换效率高

提问人：网友raulkang 发布时间：2022-01-07

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第1题

锌黄锡矿型铜锌锡硫属于_____半导体，带隙约为______。（）

A.间接带隙，1.0 eV左右

B.直接带隙, 1.0 eV左右

C.间接带隙, 1.45-1.50 eV

D.直接带隙, 1.45-1.50 eV

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第2题

硅的晶格结构是，按能带结构划分属于（）。

A.金刚石型，直接带隙半导体

B.闪锌矿型，直接带隙半导体

C.金刚石型，间接带隙半导体

D.闪锌矿型，间接带隙半导体

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第3题

锌黄锡矿型铜锌锡硫硒的带隙随着硒含量呈（）变化趋势。

A.准线性

B.V型

C.无关联

D.以上都不对

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第4题

铜铟镓硒材料是一种（）带隙半导体。（填“直接”或“间接”）

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第5题

晶体硅薄膜为直接带隙材料。

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第6题

以下哪些选项属于硅材料的优点。（）

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

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第7题

以下关于半导体能带特征描述正确的是（）

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

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第8题

从能带结构上来看，砷化镓材料属于____________________带隙半导体。

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第9题

CdTe是一种II- VI族化合物半导体，为（）带隙材料。（填“直接”或“间接”）

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