晶半导体中的缺陷都有哪些？

A.杂质缺陷

B.两端通电

C.化学计量比偏离

D.晶界偏析

A.新建

B.已修复

C.拒绝修改

D.已关闭

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的()，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的()。

A.测试经理

B.开发经理

C.测试工程师

D.开发工程师

A.非晶硅(a-Si)

B.低温多晶硅(LTPS)

C.金属氧化物(Oxide)

D.单晶硅(Si)

A.栅极（Gate）

B.源极（Source）

C.漏极（Drain）

D.栅极绝缘层

E.半导体活性层

A.晶圆顶层的保护层

B. 多层金属的介质层

C. 多晶硅与金属之间的绝缘层

D. 掺杂阻挡层

E. 晶圆片上器件之间的隔离