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[主观题]

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。

提问人:网友zhangwe2019 发布时间:2022-01-06
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第1题
关于离子注入掺杂,说法正确的有()

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

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第2题
()是将杂质离子通过电场加速、磁场选择注入到半导体晶片以调控半导体电学性质的掺杂手段。
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第3题
光纤的主要成分是 ,掺杂了少量的掺杂剂。
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第4题
作为掺杂的几种方式中,适合低温工艺并不受固溶度限制的是

A.扩散

B.离子注入

C.合金法

D.生长法

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第5题
题3-2-8 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

A.MOS器件源漏精确掺杂

B.形成浅结

C.调节MOS器件阈值电压

D.形成互连

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第6题
据掺杂杂质不同,我们把半导体可以分为N型半导体与P型半导体,P型半导体主要掺杂的是五价元素,如磷、砷等。()
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第7题
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
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第8题
根据半导体掺杂性把半导体分为()。

A.本征半导体

B.掺杂半导体

C.杂质半导体

D.不能确定

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第9题
离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂深度()
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第10题
题3-2-7 以下不是离子注入特点的是 。

A、精确控制掺杂剂量

B、精确控制掺杂能量

C、C、不会产生缺陷甚至非晶化

D、杂质掺杂分布非常均匀

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