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[单选题]
由某场效应管的转移特性知，在vDS =10V保持不变的情况下，vGS 由-1V变化到-2V时，iD相应从2mA变化到0.8mA，则该管子的gm为______。
A.0.83mS
B.1.2mS
C.2 mS
D.-1.2 mS
提问人：网友xyzhan
发布时间：2022-01-07
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A、VGS为正电压，VDS为正电压
B、VGS为正电压，VDS为负电压
C、VGS为负电压，VDS为正电压
D、VGS为负电压，VDS为负电压
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第3题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 
A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
第4题
某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A、P沟道结型管
B、N沟道结型管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
E、增强型PMOS管
F、增强型NMOS管
第6题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
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,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。。
