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[单选题]
已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，与之对应的转移特性曲线是（）。
已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，与之对应的转移特性曲线是（）。
A.
B.
C.
D.
提问人：网友jilian63
发布时间：2022-01-07
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第2题
由某场效应管的转移特性知，在vDS =10V保持不变的情况下，vGS 由-1V变化到-2V时，iD相应从2mA变化到0.8mA，则该管子的gm为______。
A、0.83mS
B、1.2mS
C、2 mS
D、-1.2 mS
第3题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 
A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
第4题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，U...
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。
A. 1mA/V
B. 0.5mA/V
C. -1mA/V
D. -0.5mA/V
第6题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
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,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。。
第7题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。 
A、为P沟道增强型MOS管，Up=1V
B、为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V
C、为N沟道增强型MOS管，UT=1V
D、为P沟道结型场效应管，Up=1V
第9题
图示为放大电路，已知集成运放A和二极管VD均为理想器件。当输入电压ui分别为＋2V和－2V时，输出电压uo的值分别为（ ）。 
A、3V，0V
B、2V，0V
C、4V，0.7V
D、1V，0.7V
