对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为负，并且只能当UGS小于开启电压 时，才能形有漏极电流。

若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。

A、

B、

C、

D、

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U_DS=10V，U_GS=0V处的跨导gm约为（）。

A. 1mA/V

B. 0.5mA/V

C. -1mA/V

D. -0.5mA/V

A、N沟道增强型MOSFET

B、N沟道耗尽型MOSFET

C、N沟道结型FET

D、P沟道增强型MOSFET

E、P沟道耗尽型MOSFET

F、P沟道结型FET

此题为判断题(对，错)。

A.uGS

B.uGS≥UTN，uGS

C.uGS

D.uGS>UTN，uGS≥UTN

A、结型场效应管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

D、无效选项