题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。
A.1mA/V
B. 0.5mA/V
C. -1mA/V
D. -0.5mA/V
提问人：网友huangdx
发布时间：2022-01-06
如搜索结果不匹配，请 
已知N沟道耗尽型场效应管的 画出它的转移
特性曲线和漏极特性曲线。
题目内容
（请给出正确答案）
您可能会需要：
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
更多“已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，U…”相关的问题
第2题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
A.耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B.耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C.增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D.增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
第3题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
A.增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V
B.耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V
C.增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V
D.耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V
第6题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
A.耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V
B.P沟JFET管，夹断电压VP为2V
C.N沟JFET管，夹断电压VP为2V
D.增强型NMOS管，开启电压为2V
