题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

快抑制性突触后电位的产生主要是由于（）

A.K+通道开放

B.Na+通道关闭

C.Cl-通道开放

D.K+通道关闭

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07
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第1题
快抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

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第2题
除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程?()
A、突触后膜膜内电位升高

B、Ca2+由膜外进入突触前膜内

C、突触后膜对Cl-通透性升高

D、突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

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第3题
产生抑制性突触后电位的主要机制是()
A．突触前末梢递质释放减少

B．突触后膜发生超极化

C．突触后膜对钠离子通透性增加

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第4题
慢抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

点击查看答案
第5题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A、突触前轴突末梢超极化

B、突触后膜对Ca、K的通透性增大

C、突触后膜去极化

D、突触后膜电位负值增大，出现超极化

E、突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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第6题
产生兴奋性突触后电位的主要机制是()
A．突触前末梢递质释放增多

B．突触后膜对钾离子通透性增加

C．突触后膜对钠离子通透性增肌

点击查看答案
第7题
慢兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

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