题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程？（）

A.突触后膜膜内电位升高

B.Ca2+由膜外进入突触前膜内

C.突触后膜对Cl-通透性升高

D.突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07
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第1题
快抑制性突触后电位的产生主要是由于()
A、K+通道开放

B、Na+通道关闭

C、Cl-通道开放

D、K+通道关闭

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第2题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A、突触前轴突末梢超极化

B、突触后膜对Ca、K的通透性增大

C、突触后膜去极化

D、突触后膜电位负值增大，出现超极化

E、突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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第3题
关于抑制性突触后电位IPSP,下述哪项错误()
A、Cl通道开放可降低IPSP

B、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生

C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化

D、IPSP使神经元的兴奋性增加

E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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第4题
快抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

点击查看答案
第5题
产生抑制性突触后电位的主要机制是()
A．突触前末梢递质释放减少

B．突触后膜发生超极化

C．突触后膜对钠离子通透性增加

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第6题
慢抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

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第7题
抑制性突触后电位()
A．是"全或无"式的

B．可以发生总和

C．是突触后膜发生的局部超极化电位

D．是突触后膜对Cl通透性增加的结果

E．其幅度较兴奋性突触后电位大

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第8题
抑制性突触后电位是指突触后膜发生()
A、极化

B、去极化

C、超极化

D、反极化

E、复极化

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