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[多选题]
关于本征半导体，下列说法哪些是正确的（)？
A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发
B.本征半导体，电子浓度等于空穴浓度
C.本征半导体的载流子浓度与温度无关
D.一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
提问人：网友wh139634
发布时间：2022-01-06
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第2题
关于本征跃迁,以下说法正确的是?()
A、本征跃迁是本征吸收的逆过程
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B、对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C、直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D、对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E、间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F、间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
第5题
下列关于费米能级的说法错误的是()。
A、费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
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B、本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C、N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D、N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
第6题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()
A、半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
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B、辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C、作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D、辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
第7题
关于光电导,以下说法正确的是?()
A、有带间跃迁产生电子—空穴对的本征光电导
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B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
第8题
关于强电离区，以下说法正确的是：
A、载流子浓度不随温度变化
B、大部分杂质都已电离
C、本征激发的影响可以忽略
D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E、费米能级不随温度变化
F、本征激发的影响不可忽略
第9题
关于硅的电阻率说法错误的是()。
A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
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B.硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感
C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
