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[主观题]

上芯在进行顶针痕迹项目检查时,必须在()以上显微镜下进行确认

上芯在进行顶针痕迹项目检查时,必须在()以上显微镜下进行确认

A、45

B、100

C、200

D、500

提问人:网友罗琼 发布时间:2022-01-07
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第1题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()
A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第2题
更换顶针时,顶针状态确认必须在100X以上显微镜下确认。()

此题为判断题(对,错)。

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第3题
在点胶头寿命次数报警后,上芯作业员在检查点胶头后,必须对加工的首条产品在45X显微镜下进行检验确认。()

此题为判断题(对,错)。

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第4题
更换晶圆时必须在高倍显微镜下检查晶圆表面是否有异常。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题

A、薄壁细胞中含有草酸钙方晶

B、果皮表皮细胞呈多角形,表面有微细角质线纹,随处可见类圆形或多角形的油细胞,其四周有6~7个细胞围绕

C、具油管碎片,内含红棕色物质

D、石细胞成群,多角形或稍长,大小均匀,壁厚,胞腔小;或大小不一,壁较薄,胞腔较具细密的壁孔

E、胚乳细胞含脂肪油滴

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第6题
在大于200倍的显微镜下观察,芯片背面出现顶针的痕迹为不良。()

此题为判断题(对,错)。

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第7题
样品经免疫酶标记后必须在荧光显微镜下进行观察。
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第8题
在大于40倍的显微镜下观察,胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。()

此题为判断题(对,错)。

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第9题
高倍检验时如发现吸嘴磨损,对更换吸嘴之前所加工的产品在100X以上显微镜下对框架的左中右位置各抽检10颗产品,确认有无压伤情况,如无压伤情况,在旧吸嘴检查及异常追溯确认栏中填写追溯检验情况,产品安排流通。()

此题为判断题(对,错)。

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