以下关于“费米能级的变化”说法正确的是:()。
A.从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级
B.费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近
C.费米能级一直随温度升高而降低
D.费米能级一直随温度升高而增大
E.费米能级随掺杂浓度的增大向上移动
F.费米能级随掺杂浓度的增大向下移动
A.从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级
B.费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近
C.费米能级一直随温度升高而降低
D.费米能级一直随温度升高而增大
E.费米能级随掺杂浓度的增大向上移动
F.费米能级随掺杂浓度的增大向下移动
A、从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级
B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近
C、费米能级一直随温度升高而降低
D、费米能级一直随温度升高而增大
E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动
F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动
B、大部分杂质都已电离
C、本征激发的影响可以忽略
D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E、费米能级不随温度变化
F、本征激发的影响不可忽略
B、半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度
C、半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度
D、半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度
E、本征半导体中掺入受主杂质
B、p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D、n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E、p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
B、电场较强时,载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢,偏离线性关系
C、电场很强时,载流子的漂移速度与电场强度无关,达到饱和状态,严重偏离欧姆定律
D、电场较弱时,载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系,此时偏离欧姆定律
E、电场较强时,载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢,满足欧姆定律
F、电场很强时,载流子的漂移速度与电场强度无关,达到饱和状态,复合欧姆定律
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