更多“磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制…”相关的问题
第3题
若半导体中硼的浓度为[图][图],磷的浓度为[图] 则A、该...
若半导体中硼的浓度为,磷的浓度为则
A、该半导体为N型半导体,多子是电子
B、该半导体为N型半导体,多子是空穴
C、该半导体为P型半导体,多子是电子
D、该半导体为P型半导体,多子是空穴
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第5题
拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
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第6题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
A、(100)
B、(111)
C、(110)
D、(211)
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第7题
关于拉单晶时进行的缩颈步骤,下面的说法那种正确
A、可以多次缩颈
B、为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C、为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D、为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
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第8题
在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
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第9题
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
A、自掺杂效应
B、互扩散效应
C、衬底表面没清洗干净的缘故。
D、掺杂气体不纯
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第10题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
A、MBE
B、VPE、LPE
C、UHV/CVD
D、SEG、SPE
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