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[单选题]

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?

A.MBE

B.VP

C.LPE

D.UHV/CVD

E.SEG、SPE

提问人:网友chandle_bin 发布时间:2022-01-07
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第1题
What is Dr. Daffner's advice for combating memory loss?

A、Having regular physical and mental checkups.

B、Taking medicine that helps boost one's brain.

C、Engaging in known memory repair activities.

D、Staying active both physically and mentally.

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第2题
分析下列程序:

DATA SEGMENT

NUM  DB 06H

SUM  DB?

DATA ENDS

STACK SEGMENT PARA STACK'STACK'

STAPN DW 100 DUP()

STACK ENDS

CODE SEGMENT

ASSUME CS:CODE,DS:DATA,SS:STACK

START:MOV AX,DATA

MOV DS,AX

PUSH AX

PUSH DX

CALL AAA

MOV AH,4CH

INT 21H

AAA  PROC

XOR AX,AX

MOV DX,AX

INC DL

MOV CL,NUM

MOV CH,00H

BBB: ADD AL,DL

DAA

INC DL

LOOP BBB

MOV SUM,AL

RET

AAA  ENDP

CODE ENDS

END START

(1) 程序执行到MOVAH,4CH语句时,AX=?DX=?SP=?

(2) BBB:ADD AL,DL语句的功能是什么?

(3) 整个程序的功能是什么?

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第3题
According to the video on ‘calorie’, which of the definition is the best to define calorie.

A、Calorie is one way to document our daily food consumptions.

B、Calorie is how much energy we get when we eat.

C、Calorie is one way to document the energy we consume and use.

D、People gain calories when they eat.

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第4题
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
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第5题
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。
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第6题
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。 可从下面选择: 气相 硅片表面 n-/n+Si界面
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第7题
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:

A、掺氯氧化

B、干氧

C、干氧-湿氧-干氧

D、低压氧化

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第8题
关于氧化速率下面哪种描述是正确的:

A、生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律>

B、温度升高氧化速率迅速增加

C、(111)硅比(100)硅氧化得快

D、有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低

E、生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律

F、生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律

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