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[判断题]

考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。（)

提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07
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更多“考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于…”相关的问题
第1题
本征晶体管的T形等效电路不需要考虑寄生,因此不需要考虑基极电阻rbb。()

此题为判断题(对，错)。

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第2题
引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是()。
A、发射结正偏电压变化

B、集电结反偏电压变化

C、基区少子浓度梯度变化

D、发射结势垒宽度变化

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第3题
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。
A、集电结势垒电容

B、集电结扩散电容

C、发射结势垒电容

D、发射结扩散电容

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第4题
NPN双极型晶体管具有放大作用,要求基区宽度足够小。原因不包括()。
A、减少在基区中复合的电子数

B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C、基区中空穴的扩散长度很小

D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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第5题
三种基本放大电路中，共基放大电路的高频特性最差。
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第6题
考虑BJT有效基区扩展效应,随着发射极电流的增加,晶体管共发射极电流放大系数增大。()

此题为判断题(对，错)。

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第7题
考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响,以下说法中不正确的是()。
A、工作在线性放大区时，集电极电流略有增加

B、基区有效宽度减小

C、基区少子浓度梯度增大

D、输出特性曲线左移

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第8题
以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。
A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

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第9题
提高均匀基区晶体管放大系数的措施通常是()。
A、提高

B、降低

C、提高

D、降低

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