CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。

A.平坦化不同的材料，各种各样的硅片表面能被平坦化

B.在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用

C.能获得全局平坦化

D.由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖

A.倒角

B.磨片

C.化学腐蚀

D.CMP

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

A.旋涂玻璃(SOG)法

B.化学机械抛光CMP法

C.玻璃回流法

D.回刻技术

A.磨粒硬度增加，抛光速率增加，抛光效果就越好

B.只要磨粒的浓度增加，则材料去除率也一直随之增加

C.通常情况下，当磨粒尺寸增加，抛光速率增加，但磨粒尺寸过小则易凝聚成团，使硅片表面划痕增加

D.当磨粒尺寸增加，抛光速率也随之增加，抛光质量也会随之提高

A.金刚砂

B.光点定向

C.CMP

D.研磨