题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

局部平坦化的特点是在一定范围的硅片表？面上实现平坦化，主要技术为（)法。

A.旋涂玻璃(SOG)法

B.化学机械抛光CMP法

C.玻璃回流法

D.回刻技术

提问人：网友文旻昊 发布时间：2022-01-07
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更多“局部平坦化的特点是在一定范围的硅片表？面上实现平坦化，主要技…”相关的问题
第1题
CMP抛光质量的影响因素有（）。

A、抛光压力

B、相对速度

C、抛光区域温度

D、抛光液粘度、PH值

E、磨粒尺寸、浓度及硬度

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第2题
不同材料的化学机械抛光应选择不同的酸碱性溶液。酸性抛光液常选择PH=4的荣毅仁，常用于抛光（）材料。

A、多晶硅

B、金属

C、氧化硅

D、非金属

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第3题
下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是（）。

A、平坦化不同的材料，各种各样的硅片表面能被平坦化

B、在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用

C、能获得全局平坦化

D、由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖

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第4题
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（）方面。

A、大马士革工艺

B、层间介质（ILD）CMP

C、浅沟槽隔离(STI)CMP

D、钨的CMP

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第5题
在金属铜的双大马士革铜抛光工艺中，研磨通常包括下面哪几步？（）

A、磨掉晶圆表面的大部分金属

B、降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属，并通过终点侦测使研磨停在阻挡层上

C、磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物

D、用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆两侧表面

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第6题
化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。

A、抛光机

B、抛光液

C、抛光垫

D、后清洗设备

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第7题
玻璃回流可以满足深亚微米IC的平坦化要求。
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第8题
化学机械抛光设备中的抛光垫越粗糙，抛光速率越高，抛光图形的选择性越高，平坦化抛光的效果也越好，但过于粗糙，易产生划痕。
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第9题
化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。
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第10题

什么叫化学机械研磨CMP？

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