题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

提问人：网友陈银桑 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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更多“下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。”相关的问题

第1题

不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是()。

不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（)。

A、发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低

B、发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小

C、发射区过高掺杂易发生基区大注入效应

D、发射区过高掺杂易诱发基区穿通

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第2题

要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

A.增大基区掺杂浓度

B.减小基区掺杂浓度

C.增大基区宽度

D.减小基区宽度

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第3题

以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

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第4题

以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（）。

A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D、考虑发射效率公式，放大系数减小

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第5题

在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区

B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区

C.窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区

D.宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

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第6题

防止基区穿通的措施是提高（）。

A.增大基区掺杂浓度

B.减小基区掺杂浓度

C.增大基区宽度

D.减小基区宽度

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第7题

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为（）。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第8题

以下各项中，不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是（）。

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

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第9题

有关NPN型三极管内部结构特点，说法正确的是。

A.发射区的掺杂浓度比基区要低

B.集电结面积可大可小，对三极管无影响

C.发射区掺杂浓度可大可小，对三极管无影响

D.发射区、基区、集电区中，发射区掺杂浓度要最高

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