题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（)。
A.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
B.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
C.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
D.发射区过高掺杂易诱发基区穿通
提问人：网友zsx19951120
发布时间：2022-01-07
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A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
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第2题
从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。
A.发射区掺杂浓度高，集电结面积大
B.发射区掺杂浓度高，集电结面积小
C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D.发射区掺杂浓度低，集电结面积大
第4题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
第5题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（）。
A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，
增大
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，
增大，发射效率提高
C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D、考虑发射效率公式，放大系数减小
第7题
有关NPN型三极管内部结构特点，说法正确的是 。
A.发射区的掺杂浓度比基区要低
B.集电结面积可大可小，对三极管无影响
C.发射区掺杂浓度可大可小，对三极管无影响
D.发射区、基区、集电区中，发射区掺杂浓度要最高
第8题
【单选题】BJT的内部结构特点如下:（)
A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;
B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;
C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;
D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。
