题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以下哪些选项属于硅材料的优点。（）

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

提问人：网友ltwcat 发布时间：2022-01-06

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ABCD

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第1题

以下关于微晶硅与非晶硅两种薄膜材料的主要区别，叙述正确的是（）。

A、微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性，用微晶硅薄膜制备的太阳能电池几乎没有光致衰减效应。

B、由于微晶硅的晶体特性，其在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低，所以微晶硅薄膜太阳能电池需要比较厚的吸收层（至少1μm），而非晶硅薄膜太阳能电池的典型厚度为0.3μm。

C、微晶硅带隙接近单晶硅，室温下1.1eV，而非晶硅的带隙高得多，接近1.75eV。

D、以上都对。

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第2题

晶体硅薄膜为直接带隙材料。

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第3题

微晶硅与非晶硅两种薄膜材料的区别主要表现在（）

A.微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性；

B.微晶硅在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低；

C.微晶硅光学带隙比非晶硅的光学带隙低得多。

D.以上都对

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第4题

硅（Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料。（)

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第5题

陶瓷后续加工有___________等特点。

A.容易进行机械加工

B.不易于化学腐蚀加工

C.改变形状很困难

D.适合于电加工

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第6题

对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。

A.为电池的窗口层；

B.具有较高的电导率；

C.具有较宽的光学带隙；

D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

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第7题

下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低

A.⑴⑵⑷

B.⑵⑶⑷

C.⑴⑶⑷

D.⑴⑵⑶⑷

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第8题

LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，。

A.适用于GaAs材料

B.适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺

C.适应于Al材料

D.适用于已形成PN结的硅器件工艺

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第9题

非晶硅薄膜材料的制备主要有哪些方法？

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第10题

【多选题】（多选)以下关于半导体的说法,哪些是正确的？（)

A.本征半导体呈电中性,杂质半导体呈电性

B.本征半导体和杂质半导体均呈电中性

C.硅材料的温度特性比锗材料好,因为其禁带宽度较大

D.锗材料的温度特性比硅材料好,因为其禁带宽度较小

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