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晶体硅薄膜为直接带隙材料。

提问人:网友caihaijia 发布时间:2022-01-07
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第1题
晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构,而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。()
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第2题
理想本征晶体硅薄膜的能带结构中,导带和价带被带隙严格地隔开,而且在带隙内不允许出现能带。
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第3题
硅锗合金技术就是外延生长SiGe合金薄膜来代替外延晶体硅薄膜,这是因为SiGe合金具有较大的光学带隙,可增加红外吸收。
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第4题
以下关于微晶硅与非晶硅两种薄膜材料的主要区别,叙述正确的是()。

A、微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性,用微晶硅薄膜制备的太阳能电池几乎没有光致衰减效应。

B、由于微晶硅的晶体特性,其在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低,所以微晶硅薄膜太阳能电池需要比较厚的吸收层(至少1μm),而非晶硅薄膜太阳能电池的典型厚度为0.3μm。

C、微晶硅带隙接近单晶硅,室温下1.1eV,而非晶硅的带隙高得多,接近1.75eV。

D、以上都对。

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第5题
微晶硅与非晶硅两种薄膜材料的区别主要表现在()

A.微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性;

B.微晶硅在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低;

C.微晶硅光学带隙比非晶硅的光学带隙低得多。

D.以上都对

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第6题
以下哪些属于铜锌锡硫薄膜材料的特性。()

A.材料廉价且资源丰富

B.直接带隙P型半导体

C.带隙可调控

D.理论转换效率高

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第7题
对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层,以下说法正确的是()。

A.为电池的窗口层;

B.具有较高的电导率;

C.具有较宽的光学带隙;

D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

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第8题
晶体Si是直接带隙半导体。
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第9题
以下可作为外延晶体硅薄膜太阳能电池衬底的材料有()。

A.玻璃

B.熔石英

C.氧化锆陶瓷

D.晶体硅片

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第10题
以下哪些选项属于硅材料的优点。()

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

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