题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

关于离子注入掺杂，说法正确的有（）

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

提问人：网友missdou 发布时间：2022-01-07

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第1题

离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂深度（）

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第2题

离子注入层的深度主要取决于离子注入的（)。A.能量B.剂量

离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

A.能量

B.剂量

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第3题

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第4题

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第5题

通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。

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第6题

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（)加速到的需要的（)，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的()，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的()。

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第7题

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第8题

离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

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第9题

以下关于离子注入优点的选项中，（)的说话是错误的。

A.离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

B.横向扩散现象很小

C.很好的杂质均匀性

D.注入杂质的纯度高，属于低温工艺

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第10题

离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。（)

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