（）是将杂质离子通过电场加速、磁场选择注入到半导体晶片以调控半导体电学性质的掺杂手段。

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的()，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的()。

A.本征半导体

B.掺杂半导体

C.杂质半导体

D.不能确定

A.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

A.N型半导体

B.施主杂质

C.P型半导体

D.受主杂质