题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
CVD主要用于金属薄膜材料的淀积。
提问人:网友kxyangkaikai
发布时间:2022-01-07
A.⑴⑵⑷
B.⑵⑶⑷
C.⑴⑶⑷
D.⑴⑵⑶⑷
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
A、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
A.LPCVD?主要采用加热的方式提供化学反应的能量
B.PECVD主要采用等离子体提供能量
C.LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积
D.PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
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