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[单选题]

在杂质半导体中多子的数量主要与 有关。

A.杂质类型

B.掺杂浓度

C.温度

D.光照

提问人:网友alaskaxinx 发布时间:2022-01-07
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第1题

杂质半导体中多子浓度主要取决于( )。

A、掺入的杂质数量

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第2题

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第3题

按照半导体理论对不含杂质而且结构非常完整的半导体单晶称为()。

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第4题

以下哪种元素可以作为半导体材料?

A、碳(C)

B、硅(Si)

C、磷(P)

D、砷(As)

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第5题
杂质半导体中少数载流子浓度()A. 与掺杂浓度和温度无...

杂质半导体中少数载流子浓度()

A. 与掺杂浓度和温度无关

B. 只与掺杂浓度有关

C. 只与温度有关

D. 与掺杂浓度和温度有关

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第6题

半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。

A. N型半导体

B. P型半导体

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第7题

2、以下半于杂质半导体,说法不正确的是

A、N型半导体中多子是电子,少子是空穴

B、P型半导体可以掺磷(P)得到

C、P型半导体主要靠空穴导电

D、向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体

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第8题
本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体

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第9题

半导体中的载流子浓度与自身( )无关。 A.温度 B.光照 C.体积 D.参杂

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