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[主观题]

现有3个掺杂砷的n型锗半导体（电离能Ed=0.0127eV)，其杂质浓度ND/cm-3分别为5.5E16，1.7E15，1.4E14，画出三者的

现有3个掺杂砷的n型锗半导体(电离能E_d=0.0127eV)，其杂质浓度N_D/cm^-3分别为5.5E16，1.7E15，1.4E14，画出三者的logn-1/T曲线。

提问人：网友anonymity 发布时间：2022-01-06

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根据杂质电离能计算有效质量

	Ed(或Ea)/eV	m*/me
P	0.045	0.453
As	0.054	0.544
Sb	0.043	0.433
B	0.045	0.453
Al	0.072	0.725
Ga	0.074	0.745

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