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[单选题]

以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。

A.减小沟道长度

B.增加栅氧化层厚度

C.增加沟道宽度

D.降低衬底掺杂浓度

提问人：网友lynn0326 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为()。

A、增加氧化层厚度

B、提高沟道区掺杂浓度

C、降低沟道长度

D、增加衬-源反偏电压

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第2题

以下哪些作物适合可以作为在亚热带地区利用冬春季作复种或填闲作物？

A、花生

B、马铃薯

C、玉米

D、油菜

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第3题

中国及邻区共划分出（）几个地震亚区。

A. 西昆仑－帕米尔地震亚区

B. 青藏高原北部地震亚区

C. 青藏高原中部地震亚区

D. 青藏高原南部地震亚区

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第4题

世界范围内主要的贸易区有（）。

A、欧洲自由贸易联盟

B、拉丁美洲自由贸易区

C、东盟自由贸易区

D、北美自由贸易协定

E、南亚自由贸易区

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第5题

某城市中转储备库建设项目，占地面积7万平方米，绿化面积2万平方米，总投资2000万元人民币，项目内容包括建造仓储作业区和办公服务区，主要包括办公楼、器材库、环流熏蒸房、机械棚库、变配电站、消防储水池、水塔泵房等。库区区域气候属亚热带季风气候，气候温暖，雨量充沛，阳光充足，四季分明。由于粮食储备库作为粮食储存设施，在营运时仅进行粮食的运输与堆积，不涉及粮食的加工，因此库区原有污染情况主要表现于在粮食储运过程中的粉尘排放、服务区生活污水的排放，以及在杀虫、熏蒸过程中（采用环流熏蒸）极少量有毒熏蒸剂的逸散等。库区范围内暂无探明的矿床和珍稀动、植物资源，没有园林、名胜古迹等保护区。

主要产生污染的工序有哪些？

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第6题

MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A、基区宽度调变效应

B、漏区静电场对沟道的反馈

C、有效沟道调制效应

D、阈电压的短沟道效应

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第7题

当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。

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第8题

当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

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第9题

以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。

A、减小沟道长度

B、增加衬底掺杂浓度

C、增加栅氧化层厚度

D、增加沟道宽度

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