更多“减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为（）。”相关的问题
第1题
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
A.减小沟道长度
B.增加栅氧化层厚度
C.增加沟道宽度
D.降低衬底掺杂浓度
点击查看答案
第2题
（）会使亚阈值摆幅变小
A.缩短沟道长度
B.减小沟道宽度
C.减小氧化层厚度
D.提高衬底掺杂浓度
点击查看答案
第3题
以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。
A.减小沟道长度
B.增加衬底掺杂浓度
C.增加栅氧化层厚度
D.增加沟道宽度
点击查看答案
第4题
________不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压
A.增加SiO2层的厚度
B.Wm ＜ws＞
C.向沟道区掺入B
D.衬源间施加负偏压
点击查看答案
第5题
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
A.增加沟道长度
B.减小栅氧化层厚度
C.减小沟道宽度
D.提高阈值电压
点击查看答案
第6题
下列不会加重漏致势垒降低效应的是（)
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
点击查看答案
第7题
下列不会加重漏致势垒降低效应的是（）
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
点击查看答案
第8题
（）不能提高MOSFET频率特性
A.缩短沟道长度
B.减小氧化层厚度
C.使用高迁移率沟道材料
D.采用自对准多晶硅栅
点击查看答案
第9题
衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？（）
A.源区
B.沟道区靠近源区一侧
C.沟道区靠近漏区一侧
D.漏区
点击查看答案
题目内容
（请给出正确答案）
如搜索结果不匹配，请 
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
