题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

()会使亚阈值摆幅变小

A.缩短沟道长度

B.减小沟道宽度

C.减小氧化层厚度

D.提高衬底掺杂浓度

提问人:网友xingjin5772 发布时间:2022-01-07
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第1题
下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅()。

A、减少衬底掺杂浓度

B、减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度

C、减少氧化层厚度

D、降低器件工作温度

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第2题
一个大人和一个小孩分别坐在同样的两个秋千上,这个大人的振荡周期:

A、大于小孩的;

B、等于小孩的;

C、小于小孩的;

D、很短;

E、很长

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第3题
下列因素中,()不是造成汽车转向沉重的原因。

A. 蜗杆与滚轮啮合间隙过大

B. 蜗杆与滚轮啮合间隙过小

C. 蜗杆上下轴承间隙过大

D. 转向传动机构松旷

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第4题
轨距过大增加轮缘与钢轨磨损,过小会使列车左右摆动。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题
轨距过大会增加轮缘于钢轨的磨损,过小会使列车左右摆动。
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第6题
双摆臂练习时,前后摆动的幅度要比走路时的摆臂要小
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第7题
不会引起MOSFET衬底电流的效应是 ()

A、沟道雪崩击穿

B、漏结雪崩击穿

C、漏源穿通

D、GIDL

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第8题
()不能提高MOSFET频率特性

A、缩短沟道长度

B、减小氧化层厚度

C、使用高迁移率沟道材料

D、采用自对准多晶硅栅

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第9题
开关速度最快的MOS反相器是 ()

A、E-R MOS(电阻型负载)

B、E-E MOS

C、E-D MOS

D、无法确定

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第10题
下列 () 不是抑制CMOS闩锁效应的方法

A、减小衬底/阱的体电阻

B、缩小器件尺寸

C、降低电源电压

D、降低少子复合寿命

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