铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是 Pa。（精确到小数点后两位）

A. 150℃

B. 250℃

C. 200℃

D. 125℃

A. 1025℃淬火+200℃回火

B. 900℃淬火+560℃回火

C. 1100℃淬火+560℃回火

D. 1025℃淬火+610℃回火

A. 打开三乙基铝管线上的阀门

B. 打开氮气压料管线上的阀门

C. 关闭氮封线上的阀门

D. 打开氮封线上的阀门

B、打开氮气压料管线上的阀门

C、关闭氮封线上的阀门

D、打开氮封线上的阀门

A、确定图案的精确形状和尺寸；

B、步进曝光机一次就可以完成曝光；

C、使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影；

D、需要进行准确对版后再曝光，才能保证各次光刻的套准精度。

A、光刻胶、掩模版和光刻机

B、光源、光刻胶和曝光时间

C、光刻胶、掩模版和光刻焦深

D、光源、掩模版和超净间

E、光源、光刻胶和掩模版

A、采取浸入式光刻方法

B、光源为紫光

C、驻波效应对分辨率无影响

D、使用移相掩膜技术制备的光刻版

A、在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；

B、在淀积的铝膜中掺入约1%Si；

C、在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；

D、在铝膜表面覆盖Si3N4。