题目内容
（请给出正确答案）
A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时，半导体处于非平衡态
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E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时，半导体处于非平衡态
A、间接复合是通过复合中心完成的复合
B、表面复合也是间接复合
C、间接复合过程中，电子先从导带跃迁到复合中心能级，再跃迁到价带与空穴复合
D、间接复合是通过禁带中线完成的复合
E、间接复合是通过费米能级完成的复合
F、间接复合是电子和空穴直接相遇而复合
A、金属和n型半导体接触，Wm>Ws
B、金属和n型半导体接触，Wm<ws>
C、金属和p型半导体接触，Wm>Ws
D、金属和p型半导体接触，Wm <ws>
A、金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D、金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
A、金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
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