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[单选题]

题3-2-10 以下不是化学气相沉积工艺所成薄膜质量指标的是 。

A.台阶覆盖特性

B.薄膜致密性

C.薄膜厚度均匀性

D.薄膜宽度

提问人:网友lzl731 发布时间:2022-01-07
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第1题
客运专线基床以下路堤中线至边缘距离允许偏差是()mm。

A. -50,+50

B. +50,0

C. 0,-50

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第2题
下列哪种描述最符合血液P50值是指下列哪种情况()A. PC...

下列哪种描述最符合血液P50值是指下列哪种情况()

A. PCO2为50mmHg时氧分压

B. 血红蛋白50%氧饱和时的氧分压

C. 血红蛋白氧离曲线最陡部分的氧分压

D. 血氧分压为50mmHg时血氧饱和度

E. 呼吸50%氧时动脉血氧分压

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第3题
题3-2-11 以下是物理气相沉积工艺的是 。

A、真空蒸发

B、LPCVD

C、PECVD

D、MOCVD

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第4题
题3-2-12 以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是 。

A、设备简单,操作容易

B、所制备的薄膜纯度较高,厚度控制较精确,成膜速率快

C、生长机理简单

D、工艺重复性不够理想

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第5题
题3-3-1 集成电路制造工艺中,不能制备二氧化硅薄膜的方法是: 。

A、热氧化

B、CVD

C、PVD

D、热扩散

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第6题
题3-3-2 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是: 。

A、几何设计规则是版图图形编辑的依据

B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据

C、几何设计规则是分析计算的依据

D、几何设计规则是检查版图错误的依据

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第7题
题3-3-3 集成电路制造工艺中,二氧化硅膜不能用于: 。

A、元器件的组成部分(如栅氧化层)

B、源漏极

C、互连层间绝缘介质

D、作为掩蔽膜

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第8题
题3-3-4 集成电路制造工艺中,以下不是热氧化方法的是: 。

A、干氧氧化

B、湿氧氧化

C、离子氧化

D、水蒸汽氧化

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第9题
题3-3-5 集成电路制造工艺中,以下对氧化速率没有影响的因素是: 。

A、温度

B、厚度

C、硅晶向

D、掺杂

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