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掩膜版和光刻胶之间留有一定的缝隙用于提高掩膜版的使用寿命，该曝光方式是

提问人：网友kittysu 发布时间：2022-01-07

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第1题

在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，该工序称为

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第2题

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第3题

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第4题

简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用？

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第5题

根据溶解性的变化，光刻胶分为哪几类？他们的原理和特点是什么？

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第6题

刻蚀的工艺要求包括

A、分辨率高，图形保真度好

B、各向异性刻蚀

C、选择性好

D、刻蚀清洁

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第7题

刻蚀因子主要是判定刻蚀过程是各向同性或者各向异性。

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第8题

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第9题

利用物理或者化学方法将没有被光刻胶覆盖的下层材料去除的工艺是

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第10题

氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为

A、HF

B、HNO3

C、H3PO4

D、H2SO4

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