题目内容
（请给出正确答案）
结构必须满足的条件有（）A.金属与半导体的功函数差为零
B.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电
C.绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态
D.半导体必须为本征半导体
E.绝缘层材料为二氧化硅
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B、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
B、绝缘层中存在电荷
C、半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D、外加偏压
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和
。如图所示，两平面之间的Ａ、Ｂ两点的电势分别为
、
，则 
和
的高低。
