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[主观题]

CPLD与FPGA所采用的编程技术不同,CPLD是基于SRAM的编程技术,而FPGA则是基于CPLD与FPGA所采用的编程技术不同,CPLD是基于SRAM的编程技术,而FPGA则是基于或快闪存或快闪存储器的编程技术。

提问人:网友timbbcy 发布时间:2022-01-07
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第1题
基于SRAM的FPGA器件,在每次上电后必须进行一次配置。
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第2题
下面关于FPGA与CPLD的描述正确的是()。
A、FPAG是SRAM工艺,掉电后信息丢失,因此必须外加专用配置芯片,而CPLD为Flash工艺,掉电信息不丢失,无需配置芯片

B、CPLD的安全性比FPGA高

C、FPGA的集成度比CPLD低

D、一般而言,FPGA的内部资源更为丰富,能够实现更为复杂的逻辑功能

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第3题
基于SRAM技术的FPGA一旦断电,其原有的逻辑功能将消失。因此一般需要一个外部的PROM 保存编程数据
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第4题
关于微机系统中存储器的类型,下面叙述不正确的是

A、SRAM主要用作高速缓存(Cache)。

B、DRAM主要用作内存。

C、ROM一般用于保存无需修改的程序或数据,如主板上的BOIS。

D、硬盘一般用作微机系统的主存。

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第5题
EPROM采用了叠栅注入MOS管,写入时需要雪崩写入,而擦除时需要照射紫外线。
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第6题
半导体SRAM靠电荷存储器件存储信息。目前的SRAM芯片采用单译码方式,以便组织更大的存储容量。
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第7题
SRAM和DRAM均为RAM存储器,二者的容量与读写速度为()

A. SRAM有极高的读写速度及大容量

B. DRAM有极高的读写速度及大容量

C. SRAM有极高的读写速度,DRAM有更大的容量

D. DRAM有极高的读写速度,SRAM有更大的容量

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第8题
下列关于SRAM工作原理的描述中 ,错误的是( )(单选)

A、6管SRAM中保存“1"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

B、6管SRAM中保存“0"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

C、对任何一个SRAM存储单元的读写,一定需要通过对应的行选通和列选通信号使与该存储单元对应的4个门控管都处于选通状态

D、现有一个1KB的SRAM存储器,若只使用其低端地址的前16个单元,则只要使用该存储器的前4位地址线,其余地址线可以不做任何端接处理

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第9题
下列对FPGA结构与工作原理的描述错误的是:

A、基于SRAM的FPGA器件,在每次掉电后会丢失里面已经下载的设计;

B、在Intel的器件中,CYCLONE IV系列属FPGA结构;

C、FPGA是基于查找表结构的可编程逻辑器件;

D、FPGA全称为复杂可编程逻辑门器件。

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第10题
FPGA的编程工艺是SRAM
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