题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。

A.增加沟道长度

B.减小栅氧化层厚度

C.减小沟道宽度

D.提高阈值电压

提问人：网友aaihmy 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。

A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

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第2题

在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似：（）。

A、缓变沟道近似

B、强反型近似

C、耗尽近似

D、沟道迁移率恒定近似

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第3题

以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。

A、减小沟道长度

B、增加栅氧化层厚度

C、增加沟道宽度

D、降低衬底掺杂浓度

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第4题

MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A、基区宽度调变效应

B、漏区静电场对沟道的反馈

C、有效沟道调制效应

D、阈电压的短沟道效应

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第5题

当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。

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第6题

当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

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第7题

以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。

A、减小沟道长度

B、增加衬底掺杂浓度

C、增加栅氧化层厚度

D、增加沟道宽度

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第8题

当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

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第9题

MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。

A、漏源电导，跨导

B、跨导，漏源电导

C、漏源电阻，栅源电阻

D、漏源电阻，跨导

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第10题

MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

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