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[主观题]

什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

提问人：网友zhangwe2019 发布时间：2022-01-06

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第1题

什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

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第2题

什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应...

什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

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第3题

离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。（)

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第4题

离子注入的沟道效应

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第5题

离子注入最主要的缺点是（)。

A.会对晶体结构产生损伤

B.离子注入设备复杂且昂贵

C.高温工艺

D.沟道效应(或通道效应)存在

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第6题

简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何...

简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

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第7题

关于离子注入掺杂，说法正确的有（）

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

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第8题

在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。

A.沟道效应，＜

B.沟道效应，＞

C.横向效应，＜

D.横向效应，＞

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第9题

抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（)。

A.偏转注入或倾斜硅片

B.在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化

C.提高离子注入的速度

D.衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)

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第10题

什么是沟道效应？抑制方法？

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