离子注入层的深度主要取决于离子注入的（)。A.能量B.剂量

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。

A.能量

B.剂量

A.长度

B. 深度

C. 宽度

D. 表面平整度

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

A.离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

B.横向扩散现象很小

C.很好的杂质均匀性

D.注入杂质的纯度高，属于低温工艺

A.入射离子的能量

B. 入射离子的质量

C. 入射离子的原子序数

D. 靶原子的质量、原子序数、原子密度

E. 注入离子的总剂量