题目内容 （请给出正确答案）
[多选题]

用铜球间隙测量高电压，需满足（)条件才能保证国家标准规定的测量不确定度。

A.铜球距离与铜球直径之比不大于0.5

B.需进行气压和温度的校正

C.结构和使用条件必须负荷IEC的规定

提问人：网友Dume2021 发布时间：2022-01-07
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[251.***.***.236] 1天前
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第1题
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第2题
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第3题
以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。
A、电子，扩散

B、电子，漂移和扩散

C、空穴，扩散

D、空穴，漂移和扩散

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第4题
热载流子效应引起的影响不包括()。
A、碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B、热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C、漏极电流增大而形成雪崩击穿

D、发射出光子，形成光发射电流

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第5题
下列不属于提高MOS管特征频率方法的是()。
A、采用应力工程，提高载流子迁移率

B、提高跨导

C、增加沟道长度

D、减小栅围寄生电容

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第6题
考虑由负载电阻串联NMOS构成的倒相器,要减小该倒相器的功耗,则应___负载电阻;要增大输出摆幅,则应___负载电阻。
A、增大，增大

B、增大，减小

C、减小，增大

D、减小，减小

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第7题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。
A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第8题
若晶体管使用频率非常高,必须考虑管壳的寄生参量,特别是()。
A、发射极引线电感

B、集电极引线电感

C、发射极电容

D、集电极电容

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第9题
为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。
A、漏区和源区的电压降可以忽略不计

B、沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C、在沟道内载流子的迁移率为常数

D、其他选项都正确

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