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[单选题]

以下关于“费米能级的变化”说法正确的是:

A.从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级。

B.费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近。

C.费米能级一直随温度升高而降低。

D.费米能级一直随温度升高而增大。

E.费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。

F.费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。

提问人:网友basil8651 发布时间:2022-01-06
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第1题
以下关于“费米能级的变化”说法正确的是:()。
A、从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级

B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C、费米能级一直随温度升高而降低

D、费米能级一直随温度升高而增大

E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动

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第2题
费米能级(名词解释题)
以下关于“费米能级的变化”说法正确的是:()。

A、从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级

B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C、费米能级一直随温度升高而降低

D、费米能级一直随温度升高而增大

E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动

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第3题
关于强电离区,以下说法正确的是:()。
A、载流子浓度不随温度变化

B、大部分杂质都已电离

C、本征激发的影响可以忽略

D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化

E、费米能级不随温度变化

F、本征激发的影响不可忽略

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第4题
关于“载流子浓度随温度的变化”,以下说法正确的是:

A、低温区,载流子浓度随温度按指数规律变化

B、强电离区,载流子浓度不随温度变化

C、本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化

D、强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化

E、本征激发区,载流子浓度不随温度变化

F、低温区,载流子浓度不随温度变化

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第5题
随着温度的升高,n型半导体电导率的变化应为

A、先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发);

B、先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发);

C、先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射);

D、先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发);

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第6题
关于强电离区,以下说法正确的是:

A、载流子浓度不随温度变化

B、大部分杂质都已电离

C、本征激发的影响可以忽略

D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化

E、费米能级不随温度变化

F、本征激发的影响不可忽略

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第7题
室温范围,n型半导体的电阻率随温度升高如何变化?

A、增大

B、减小

C、不变

D、先减小,后增大

E、先增大,后减小

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第8题
关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:

A、载流子在电场作用下的定向运动。

B、载流子的无规则热运动。

C、载流子的无规则热运动。

D、漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。

E、电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。

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第9题
关于“载流子的迁移率”,以下说法正确的是:

A、迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。

B、迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。

C、电子的迁移率为正。

D、电子的迁移率大于空穴的迁移率。

E、电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正。

F、电子的迁移率小于空穴的迁移率。

G、电子的迁移率等于空穴的迁移率。

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第10题
Si、Ge元素半导体的主要散射机构为:

A、电离杂质散射

B、声学波散射

C、光学波散射

D、谷间散射

E、位错散射

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