题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

在IC制造过程中，曝光、刻蚀、显影和去胶的顺序是（）。

A.曝光-显影-刻蚀-去胶

B.曝光-刻蚀-显影-去胶

C.曝光-显影-去胶-刻蚀

D.曝光-刻蚀-显影-去胶

提问人：网友chenlin0613 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？

A.打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶

B.打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶

C.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶

D.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀

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第2题

从下面选出正确的光刻工艺流程

A.底膜处理→前烘→涂胶→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

B.底膜处理→涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

C.底膜处理→涂胶→曝光→前烘→显影→坚膜→刻蚀→去胶

D.底膜处理→涂胶→前烘→曝光→坚膜→显影→刻蚀→去胶

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第3题

芯片制造中光刻的流程一般是（)？

A.气相成底膜，旋转涂胶，软烘，曝光，后烘，显影，坚膜，刻蚀，去胶

B.旋转涂胶，气相成底膜，软烘，曝光，后烘，显影，坚膜，刻蚀，去胶

C.旋转涂胶，气相成底膜，软烘，曝光，坚膜，显影，后烘，刻蚀，去胶

D.气相成底膜，旋转涂胶，软烘，曝光，坚膜，显影，后烘，刻蚀，去胶

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第4题

光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。

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第5题

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶

B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶

C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶

D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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第6题

光刻加工的工艺过程为：（)A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C

光刻加工的工艺过程为：()

A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗

B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散

C.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

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第7题

不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5．涂胶 6. 曝光 7. 坚膜. 以下选项排列正确的是（）。

A.5263741

B.5263471

C.2561437

D.5263714

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第8题

光刻加工的主要过程有涂胶、曝光、显影与烘片、刻蚀、剥膜。（)

光刻加工的主要过程有涂胶、曝光、显影与烘片、刻蚀、剥膜。()

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第9题

去胶的方法主要有

A.溶剂去胶

B.等离子体去胶

C.氧化去胶

D.刻蚀去胶

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第10题

光掩模（Mask)制作包括哪些步骤（)。

A.模版设计

B.曝光

C.显影和刻蚀

D.以上全是

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