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[主观题]

下图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管属于何种类型。 下图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管属于何种类型。

下图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管属于何种类型。下图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管属于何种类型。
提问人:网友showwill 发布时间:2022-01-07
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第1题
已知某场效应管的输出特性曲线如图所示,与之对应的转移特性曲线是( )。

A、

B、

C、

D、

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第2题
一个结型场效应管的转移特性曲线如图所示,则它是( )沟道的效应管。(填写N/P)
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第3题
场效应管的转移特性曲线如图所示,确定这个场效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压)。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

A、耗尽型NMOS的转移特性曲线,其夹断电压VP=﹣4V

B、耗尽型PMOS的转移特性曲线,其夹断电压VP=﹣4V

C、增强NMOS的转移特性曲线,其开启电压VTN=﹣4V

D、增强PMOS的转移特性曲线,其开启电压VTN=﹣4V

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第4题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

A、为P沟道增强型MOS管,Up=1V

B、为N沟道耗尽型MOS管,UT=1V

C、为N沟道增强型MOS管,UT=1V

D、为P沟道结型场效应管,Up=1V

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第5题
某场效应管的IDSS为6mA,而ID从漏极流出,大小为8mA,则该管为:

A、P沟道结型管

B、N沟道结型管

C、耗尽型PMOS管

D、耗尽型NMOS管

E、增强型PMOS管

F、增强型NMOS管

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第6题
由某场效应管的转移特性知,在vDS =10V保持不变的情况下,vGS 由-1V变化到-2V时,iD相应从2mA变化到0.8mA,则该管子的gm为______。

A、0.83mS

B、1.2mS

C、2 mS

D、-1.2 mS

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第7题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。

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第8题
埃伯尔斯-莫尔模型是晶体三极管的通用模型,适用于各种工作模式。
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第9题
工作于放大模式的晶体三极管中几乎相等的两种电流是
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第10题
3. 在如图所示电路中,假设两管mn、Cox相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA,若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
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