题目内容
（请给出正确答案）
A.半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
B.费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
C.半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
D.掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
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A.从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级
B.费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近
C.费米能级一直随温度升高而降低
D.费米能级一直随温度升高而增大
E.费米能级随掺杂浓度的增大向上移动
F.费米能级随掺杂浓度的增大向下移动
A.从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。
B.费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。
C.费米能级一直随温度升高而降低。
D.费米能级一直随温度升高而增大。
E.费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。
F.费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
A、从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级
B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近
C、费米能级一直随温度升高而降低
D、费米能级一直随温度升高而增大
E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动
F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动
A.在一定的温度下，稳定状态下的半导体只有一个费米能级
B.准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。
C.在一定的温度的非平衡状态下，载流子浓度积仍然是一个常数
D.少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度
E.对于电子来说，导带费米能级和价带费米能级都是全局性的
F.在非平衡状态下，多子准费米能级的位置并没有发生偏离
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
费米—狄拉克分布函数(《大学物理》教材中式(13—11))适用于金属，也适用于半导体和绝缘体。在本征半导体中，费米能级在禁带的中间位置(费米能级不必是一个可以占据的能级)。
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