如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

A、掺氯氧化

B、干氧

C、干氧-湿氧-干氧

D、低压氧化

A、生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律>

B、温度升高氧化速率迅速增加

C、（111）硅比（100）硅氧化得快

D、有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低

E、生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律

F、生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散

B、图（a）、（b）都是限定源扩散

C、图（a）、（b）都是恒定源扩散

D、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散

A、大，横向扩散

B、小，横向扩散

C、大，场助扩散

D、大，氧化增强

A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；

B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；

C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。

D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。