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[主观题]

3.15　由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如图所示，试画出该电路的交流通路和小信号等效电路，已知 g m=2mS，试求电压放大倍数 A u、输入电阻 Ri和输出电阻 Ro。

3.15　由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如图所示，试画出该电路的交流通路和小信号等效电路，已知 g m=2mS，试求电压放大倍数 A u、输入电阻 Ri和输出电阻 Ro。

3.15　由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如图所示，试画出该电路的交流通路和小信号等效电路

提问人：网友zapzqc 发布时间：2022-01-06

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第1题

3.4　由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如图所示，试画出该电路的交流通路和小信号等效电路，已知 g m=2mS，试求电压放大倍数 A u、输入电阻 Ri和输出电阻 Ro。

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第2题

MOS管共源放大电路的低频段频响是由极间电容引起的。

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第3题

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，U...

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U_DS=10V，U_GS=0V处的跨导gm约为（）。

A. 1mA/V

B. 0.5mA/V

C. -1mA/V

D. -0.5mA/V

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第4题

判断题：P沟道增强型MOS管，结构与NMOS管相反，vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反，开启电压vT为负值。

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第5题

N沟道增强型MOS管多子与少子都参与导电。()

此题为判断题(对，错)。

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第6题

MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。

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第7题

以下关于MOS管的说法正确的是

A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

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第8题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（）

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第9题

设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=3.2V时，该管处于（）状态。

A、截止

B、导通

C、可变电阻

D、反向击穿

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