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[主观题]

外延技术是指在晶体上化学或物理方法规则地再排列所需晶体材料。（）

提问人：网友serena_520 发布时间：2022-01-06

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第1题

晶体的宏观特性包括？

A、自限性

B、晶体各项异性

C、晶体均匀性

D、晶面角守恒

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第2题

矿物都是晶体。

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第3题

早期IBM公司用的化学放大光刻胶（APEX胶）是一种聚合物，主要包括聚合物主干、刻蚀阻挡基团、（）基团和（）。

A、刻蚀酸根

B、保护酸根

C、保护酯基

D、刻蚀酯基

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第4题

NA为1.36时，使用浸没式光刻机能得到光刻线宽为（）图案。

A、55nm

B、35nm

C、32nm

D、60nm

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第5题

原子层淀积（ALD）是利用反应气体与基板之间的气-固反应来完成薄膜淀积或外延生长的技术。

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第6题

光刻系统中，能影响其分辨率的因素有（）。

A、光强

B、光波长

C、瑞利系数

D、NA

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第7题

系统分辨率是特征线宽的极限。

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第8题

光刻工艺中，常用的涂底胶的方法有（）。

A、蒸汽式涂底胶方法

B、常压式涂底胶

C、旋转喷涂底胶法

D、静态旋转涂胶

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第9题

纳米光刻技术中分辨率越高，光刻图形能分辨的线宽越大。

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第10题

光刻胶是一种固态混合物，包括聚合物、感光剂和增感剂。

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