题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

影响MOSFET阈值电压的因素有（）。

A.栅氧化层厚度

B.沟道宽度

C.衬底掺杂浓度

D.氧化层固定电荷

提问人：网友zpbzpb 发布时间：2022-01-06

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第1题

对于一个N型MOSFET，为了保证器件正常工作，衬底电位应当等于或低于源极电位。

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第2题

以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。A、...

以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。

A、增加沟道长度

B、减小栅氧化层厚度

C、减小沟道宽度

D、提高阈值电压

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第3题

在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似：（）。

A、缓变沟道近似

B、强反型近似

C、耗尽近似

D、沟道迁移率恒定近似

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第4题

以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。A、减小...

以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。

A、减小沟道长度

B、增加栅氧化层厚度

C、增加沟道宽度

D、降低衬底掺杂浓度

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第5题

MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A、基区宽度调变效应

B、漏区静电场对沟道的反馈

C、有效沟道调制效应

D、阈电压的短沟道效应

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第6题

当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。

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第7题

当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

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第8题

以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。A、减小沟...

以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。

A、减小沟道长度

B、增加衬底掺杂浓度

C、增加栅氧化层厚度

D、增加沟道宽度

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第9题

当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

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第10题

MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。

A、漏源电导，跨导

B、跨导，漏源电导

C、漏源电阻，栅源电阻

D、漏源电阻，跨导

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